Changxin Memory Technologies

長鑫存儲技術（CXMT）は、安徽省合肥に本社を置く中国の半導体企業で、DRAMメモリの生産に特化しています。2016年に国家メモリプロジェクト（外国サプライヤーへの依存を減らすための国家主導の取り組み）の下で設立され、自社でチップの設計と製造を行う統合デバイスメーカー（IDM）として運営されています。同社は、中国科学院マイクロエレクトロニクス研究所とのライセンス契約を通じて、倒産したキマンダAGの特許を取得することから始まりました。2019年までに量産を達成し、2020年には19ナノメートルプロセスでLPDDR4およびDDR4メモリを月産4万ウェーハで生産していました。2025年末には四半期あたりのウェーハ生産量が72万枚に達し、急速な拡大を示しています。

CXMTの製品ラインアップには、モバイルデバイス向けLPDDR4/LPDDR4X、PCおよびサーバー向けDDR4およびDDR5、自動車、産業、IoTアプリケーション向けカスタムDRAMが含まれます。同社は19nm、17nm、16nmノードで事業を展開し、15nm以下を開発中です。2025年時点で、CXMTは収益ベースで世界のDRAM市場の約2～3%を占め、主に価格とサプライチェーンセキュリティでHuawei、Xiaomi、Lenovoなどの中国OEMと競争しています。主な競合はSamsung、SK Hynix、Micron Technologyです。同社はNANDフラッシュや他のメモリタイプは生産していません。

CXMTは合肥市政府と中国の国有投資ファンのコンソーシアムが過半数を所有しています。会長兼総経理は朱一明（Simon Zhu）氏で、テキサス・インスツルメンツで働き、同社の設立を主導したベテランの半導体エンジニアです。中核となる経営陣には、Micron、SK Hynix、その他の世界的なメモリ企業での経験を持つ幹部が含まれます。2025年、CXMTはDDR5 DRAMを導入し、中国企業として初めてとなり、上海のスター市場へのIPOを申請し、150～200億ドルの評価額を目指しています。同社は合肥に第3の工場を建設中で、2027年までに四半期あたりのウェーハ生産量を100万枚に引き上げることを目指しています。[編集]